1rx8 или 2rx8 что лучше
Выбираем оперативную память: руководство Hardwareluxx
Страница 3: Полезные сведения для опытных пользователей
В чем разница между «Double Sided» и «Single Sided»?
На практике одно- или двусторонние DIMM для работы системы роли не играют. Но если вы планируете разогнать память до максимума, то односторонние DIMM дают преимущество, поскольку чипов памяти на них меньше.
В чем разница между одноранговыми и двуранговыми модулями?
Одноранговые и двуранговые модули часто связывают с односторонними и двухсторонними DIMM, но это не одно и то же. Производители памяти в качестве ранга подразумевают физическую структуру модуля и подключение чипов памяти. Например, 1Rx4, 2Rx4 или 2Rx8. В случае «1R» и «2R» как раз обозначены одно- или двуранговые модули, а «x4» и «x8» соответствует разрядности чипов (4 бита и 8 битов), которые объединены в так называемые банки.
У обычных UDIMM (Unbuffered, небуферизованных) для настольных платформ каждый ранг соответствует 64-битному блоку. Чтобы получить один ранг на модуле, нужны восемь чипов x8 или 16 x4 (8 x 8 = 64 / 64 = 1 или 16 x 4 = 64 / 64 = 1). Примером двухрангового модуля будет 16 x8 (16 x 8 = 128 / 64 = 2). В профессиональном сегменте встречаются DIMM с кодом коррекции ошибок ECC (Error Correction Code), здесь к 64 битам ранга добавляются еще 8 бит на коррекцию, что дает 72 бита. Соответственно, здесь уже используются девять чипов x8 (9 x 8 = 72 / 72 = 1) для одного ранга и 18 x8 чипов (18 x 8 = 144 / 72 = 2) для двух рангов.
В серверном сегменте встречаются модули с четырьмя и даже восемью рангами. Например, 36 x8 чипов (36 x 8 = 288 / 72 = 4) и 72 x8 чипов (72 x 8 = 576 / 72 = 8). Таким образом, можно встретить двухранговые DIMM, но модули памяти будут припаяны только с одной стороны платы (односторонние).
Чем отличаются чипы памяти?
Разными бывают не только модули памяти, но и чипы IC (Integrated Circuit), которые производятся Samsung, Micron и SK Hynix, причем можно встретить разные версии, которые по-разному реагируют на разгон. Самые дешевые DIMM часто получают «плохие» чипы памяти, которые плохо разгоняются, а дорогие DIMM, напротив, комплектуются отобранными чипами. И с разгоном они способны дать более высокий уровень производительности. Хорошим примером можно назвать популярные, но дорогие чипы Samsung B-Die, которые уже не производятся.
Как оптимизируют PCB?
В качестве примера можно привести многослойную PCB с увеличенными дорожками, которые пропускают больший ток с меньшим сопротивлением. Теоретически такие планки лучше разгоняются. Современные DIMM используют PCB, как минимум, с восемью слоями.
Какую материнскую плату следует брать для разгона памяти?
Действительно, на рынке есть материнские платы, специально предназначенные для разгона памяти. Например, ASUS ROG Maximus XI Apex или ASRock X299 OC Formula, которые обеспечивают, максимум, два или четыре слота DIMM, соответственно. Особая «фишка» этих моделей в том, что слоты DIMM расположены как можно ближе к сокету CPU, но при этом доступны 2- или 4-канальный режим работы, чтобы не пришлось жертвовать пропускной способностью. В результате даже на высоких тактовых частотах после разгона гарантируется стабильная передача сигналов.
Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).
Про ранги и виртуализацию в RAM
В продолжение рубрики «конспект админа» хотелось бы разобраться в нюансах технологий ОЗУ современного железа: в регистровой памяти, рангах, банках памяти и прочем. Подробнее коснемся надежности хранения данных в памяти и тех технологий, которые несчетное число раз на дню избавляют администраторов от печалей BSOD.
Старые песни про новые типы
Сегодня на рынке представлены, в основном, модули с памятью DDR SDRAM: DDR2, DDR3, DDR4. Разные поколения отличаются между собой рядом характеристик – в целом, каждое следующее поколение «быстрее, выше, сильнее», а для любознательных вот табличка:
Для подбора правильной памяти больший интерес представляют сами модули:
RDIMM — регистровая (буферизованная) память. Удобна для установки большого объема оперативной памяти по сравнению с небуферизованными модулями. Из минусов – более низкая производительность;
UDIMM (unregistered DRAM) — нерегистровая или небуферизованная память — это оперативная память, которая не содержит никаких буферов или регистров;
LRDIMM — эти модули обеспечивают более высокие скорости при большей емкости по сравнению с двухранговыми или четырехранговыми модулями RDIMM, за счёт использования дополнительных микросхем буфера памяти;
HDIMM (HyperCloud DIMM, HCDIMM) — модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы. Например, 4 физических ранга в таких модулях могут быть представлены для контроллера как 2 виртуальных;
Попытка одновременно использовать эти типы может вызвать самые разные печальные последствия, вплоть до порчи материнской платы или самой памяти. Но возможно использование одного типа модулей с разными характеристиками, так как они обратно совместимы по тактовой частоте. Правда, итоговая частота работы подсистемы памяти будет ограничена возможностями самого медленного модуля или контроллера памяти.
Для всех типов памяти SDRAM есть общий набор базовых характеристик, влияющий на объем и производительность:
частота и режим работы;
Конечно, отличий на самом деле больше, но для сборки правильно работающей системы можно ограничиться этими.
Частота и режим работы
Понятно, что чем выше частота — тем выше общая производительность памяти. Но память все равно не будет работать быстрее, чем ей позволяет контроллер на материнской плате. Кроме того, все современные модули умеют работать в в многоканальном режиме, который увеличивает общую производительность до четырех раз.
Режимы работы можно условно разделить на четыре группы:
Single Mode — одноканальный или ассиметричный. Включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга. Фактически, означает отсутствие многоканального доступа;
Dual Mode — двухканальный или симметричный. Слоты памяти группируются по каналам, в каждом из которых устанавливается одинаковый объем памяти. Это позволяет увеличить скорость работы на 5-10 % в играх, и до 70 % в тяжелых графических приложениях. Модули памяти необходимо устанавливать парами на разные каналы. Производители материнских плат обычно выделяют парные слоты одним цветом;
Triple Mode — трехканальный режим работы. Модули устанавливаются группами по три штуки — на каждый из трех каналов. Аналогично работают и последующие режимы: четырехканальные (quad-channel), восьмиканальные (8-channel memory) и т.п.
Для максимального быстродействия лучше устанавливать одинаковые модули с максимально возможной для системы частотой. При этом используйте установку парами или группами — в зависимости от доступного многоканального режима работы.
Ранги для памяти
Ранг (rank) — область памяти из нескольких чипов памяти в 64 бита (72 бита при наличии ECC, о чем поговорим позже). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранга.
Узнать этот параметр можно из маркировки на модуле памяти. Например уKingston число рангов легко вычислить по одной из трех букв в середине маркировки: S (Single — одногоранговая), D (Dual — двухранговая), Q (Quad — четырехранговая).
Пример полной расшифровки маркировки на модулях Kingston:
Серверные материнские платы ограничены суммарным числом рангов памяти, с которыми могут работать. Например, если максимально может быть установлено восемь рангов при уже установленных четырех двухранговых модулях, то в свободные слоты память добавить не получится.
Перед покупкой модулей есть смысл уточнить, какие типы памяти поддерживает процессор сервера. Например, Xeon E5/E5 v2 поддерживают одно-, двух- и четырехранговые регистровые модули DIMM (RDIMM), LRDIMM и не буферизированные ECC DIMM (ECC UDIMM) DDR3. А процессоры Xeon E5 v3 поддерживают одно- и двухранговые регистровые модули DIMM, а также LRDIMM DDR4.
Немного про скучные аббревиатуры таймингов
Тайминги или латентность памяти (CAS Latency, CL) — величина задержки в тактах от поступления команды до ее исполнения. Числа таймингов указывают параметры следующих операций:
CL (CAS Latency) – время, которое проходит между запросом процессора некоторых данных из памяти и моментом выдачи этих данных памятью;
tRCD (задержка от RAS до CAS) – время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS) до обращения к столбцу матрицы (CAS) с нужными данными;
tRP (RAS Precharge) – интервал от закрытия доступа к одной строке матрицы, и до начала доступа к другой;
tRAS – пауза для возврата памяти в состояние ожидания следующего запроса;
Разумеется, чем меньше тайминги – тем лучше для скорости. Но за низкую латентность придется заплатить тактовой частотой: чем ниже тайминги, тем меньше допустимая для памяти тактовая частота. Поэтому правильным выбором будет «золотая середина».
Существуют и специальные более дорогие модули с пометкой «Low Latency», которые могут работать на более высокой частоте при низких таймингах. При расширении памяти желательно подбирать модули с таймингами, аналогичными уже установленным.
RAID для оперативной памяти
Ошибки при хранении данных в оперативной памяти неизбежны. Они классифицируются как аппаратные отказы и нерегулярные ошибки (сбои). Память с контролем четности способна обнаружить ошибку, но не способна ее исправить.
Для коррекции нерегулярных ошибок применяется ECC-память, которая содержит дополнительную микросхему для обнаружения и исправления ошибок в отдельных битах.
Метод коррекции ошибок работает следующим образом:
При записи 64 бит данных в ячейку памяти происходит подсчет контрольной суммы, составляющей 8 бит.
Когда процессор считывает данные, то выполняется расчет контрольной суммы полученных данных и сравнение с исходным значением. Если суммы не совпадают – это ошибка.
Технология Advanced ECC способна исправлять многобитовые ошибки в одной микросхеме, и с ней возможно восстановление данных даже при отказе всего модуля DRAM.
Исправление ошибок нужно отдельно включить в BIOS
Большинство серверных модулей памяти являются регистровыми (буферизованными) – они содержат регистры контроля передачи данных.
Регистры также позволяют устанавливать большие объемы памяти, но из-за них образуются дополнительные задержки в работе. Дело в том, что каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память оказывается медленнее не регистровой на один такт.
Все регистровые модули и память с полной буферизацией также поддерживают ECC, а вот обратное не всегда справедливо. Из соображений надежности для сервера лучше использовать регистровую память.
Многопроцессорные системы и память
Для правильной и быстрой работы нескольких процессоров, нужно каждому из них выделить свой банк памяти для доступа «напрямую». Об организации этих банков в конкретном сервере лучше почитать в документации, но общее правило такое: память распределяем между банками поровну и в каждый ставим модули одного типа.
Если пришлось поставить в сервер модули с меньшей частотой, чем требуется материнской плате – нужно включить в BIOS дополнительные циклы ожидания при работе процессора с памятью.
Для автоматического учета всех правил и рекомендаций по установке модулей можно использовать специальные утилиты от вендора. Например, у HP есть Online DDR4 (DDR3) Memory Configuration Tool.
Итого
Вместо пространственного заключения приведу общие рекомендации по выбору памяти:
Для многопроцессорных серверов HP рекомендуется использовать только регистровую память c функцией коррекции ошибок (ECC RDIMM), а для однопроцессорных — небуферизированную с ECC (UDIMM). Планки UDIMM для серверов HP лучше выбирать от этого же производителя, чтобы избежать самопроизвольных перезагрузок.
В случае с RDIMM лучше выбирать одно- и двухранговые модули (1rx4, 2rx4). Для оптимальной производительности используйте двухранговые модули памяти в конфигурациях 1 или 2 DIMM на канал. Создание конфигурации из 3 DIMM с установкой модулей в третий банк памяти значительно снижает производительность.
Список короткий, но здесь все самое необходимое и наименее очевидное. Конечно же, старый как мир принцип RTFM никто не отменял.
Что значит 1Rx8 и 2Rx8 для оперативной памяти и совместимы ли они?
Что означают 1Rx8 и 2Rx8? Могу я собрать их вместе?
5 ответов
1Rx8 означает это одно-ранг модуля и 2Rx8 означает, что это двухранковых модуля. Ранг блок данных который 64 бита широкого без кода исправления ошибки (ECC) созданного используя некоторое, или все микросхемы памяти на модуле. X8 в них определяет количество банков в модуле памяти. Чем больше количество банков, тем меньше микросхем в модуле памяти, тем выше надежность и энергопотребление.
совместимость обычно не является проблемой в большинстве случаев. Но вы должны пройти через руководство производителя материнской платы поддерживаемых модулей ОЗУ, чтобы убедиться, что они совместимы или нет.
Приходящ к части PC3 и PC3L, Штоссели PC3 требуют рабочего потенциала 1.5 V тогда как PC3L требует рабочего потенциала 1.35 V. The ‘L’ в PC3L означает Низкое Напряжение. Таким образом, использование PC3 RAM в слоте PC3L RAM не обеспечит ему достаточного напряжения, и он не сможет работать. На другая рука используя Штоссель PC3L в шлице ШТОССЕЛЯ PC3 может повредить его должное к перенапряжению. Так PC3 и Pc3l Баранов не совместимы друг с другом.
Так короче 1Rx8 PC3L 12800S и 2Rx8 ПЦ3 12800S Овны не совместимы друг с другом. Но если речь идет только о 1Rx8 и 2Rx8, они могут быть совместимы друг с другом, но лучше всего проверить список совместимых ОЗУ производителя материнской платы.
эти модули несовместимы друг с другом.
Ноутбуки Не Могут Завершить Самопроверку Power On (POST) при использовании с модулем памяти DDR3
ноутбуки, использующие процессоры Intel (Haswell) 4-го поколения, требуют новый тип памяти, известный как DDR3-низкое напряжение или «DDR3L».
Upgraders: 1.35 V требуется память!
Пожалуйста, обратите внимание, мы вписываемся 1.35 V памяти в наши G750s. Новые процессоры Haswell требуют этого, и использование 1.5 V памяти может вызвать проблемы по линиям:
1R и 2R относятся к числу занимает памяти на модуле. Модули двойного ранга (2R) отображаются в системе, как если бы два модуля памяти были вставлены в этот канал памяти, что может вызвать проблемы совместимости, Если у вас есть несколько таких модулей. модулей на одном канале.
модули памяти самой высокой плотности (32 ГБ или более) предназначены для использования на серверах и обычно не работают на потребительских системах, использующих процессоры Intel Core. Потребительские процессоры, как правило, ограничены двумя или четырьмя рангами на канал, в то время как серверные процессоры часто могут обрабатывать восемь или более рангов; это объясняет, почему многие процессоры Intel Xeon могут принимать чрезвычайно большой объем памяти (768 ГБ для Xeon E5 V3 комплектующие.)
Мммммм это не означает, что они находятся либо на одной стороне или 2-х сторон.
R1x8 для них значит этот модуль одиночн-ранг модуля, модуля, R2x4 будучи модуля двойной-ранг.
некоторые чипсеты Intel ограничивают количество рангов, которые можно поместить в компьютер. Для Dell точность рабочая станция P670 это, вероятно, ограничивается 8 ряды в целом, так и с палками у тебя, ты еще не превышен, но (2х2 + 2х1 = 6 рядов).
одиночные чипы ранга, как правило, дороже из-за того, как они построены. Они также позволяют брать больше памяти из-за ограничение ранга вашего чипсета.
PC3L может вообще заменять PC3, но не наоборот. Оперативной памяти DDR3 PC3L-это билд для запуска при 1,35 В, но, как правило, также штраф в 1,5 В. PC3 является билд работает на 1,5 V; она может не работать при 1,35 В.
Так, если ваша система пришла с PC3L, то она, вероятно, требует его, так что не пытайтесь заменить его с PC3. Но если ваша система пришла с PC3, то вы, вероятно, можете заменить его либо PC3 или PC3L.
вообще вы можете смешать 1Rx8 и 2Rx8, также, хотя смешивающ различные виды оперативной памяти иногда предотвращает чередование (т. е. это может быть немного медленнее).
Я рекомендую запустить тест памяти после обновления оперативной памяти, хотя. Диагностики памяти Windows, вероятно, достаточно, хотя MemTest86 или MemTest86+ лучше.
1R значит что обломоки все на одной стороне, серединах 2R они более высокая плотность на обеих сторонах. Некоторые доски не будут использовать высокую плотность с обломоками ШТОССЕЛЯ низкой плотности или наоборот. Те, кто построен на чипсете ATi, являются одним. Другие платы в порядке с ним, вам будет лучше проверить документы материнской платы.
вообще самое лучшее представление достигано путем иметь идентичные обломоки. Же емкость, все то же самое.
Что означает 1Rx8 против 2Rx8 для ОЗУ и совместимы ли они?
Что означают 1Rx8 и 2Rx8? Могу ли я собрать их вместе?
Совместимость обычно не является проблемой в большинстве случаев. Но вы должны просмотреть руководство производителя поддерживаемых модулей памяти, чтобы убедиться, что они совместимы или нет.
Короче говоря, ОЗУ 1Rx8 PC3L 12800S и 2Rx8 PC3 12800S не совместимы друг с другом. Но если речь идет только о 1Rx8 и 2Rx8, они могут быть совместимы друг с другом, но лучше проверить список совместимых ОЗУ производителя материнской платы.
Эти модули не совместимы друг с другом.
Ноутбуки не могут завершить самотестирование при включении питания (POST) при использовании с модулем памяти DDR3
Для ноутбуков, использующих процессоры Intel (Haswell) 4-го поколения, требуется новый тип памяти, известный как DDR3-Low Voltage или «DDR3L».
Модернизаторы: требуется 1,35 В памяти!
Обратите внимание, что в наши G750s встроена память 1,35 В. Новые процессоры Haswell требуют этого, и использование 1,5 В памяти может вызвать проблемы по следующим направлениям:
1R и 2R относятся к количеству рангов памяти в модуле. Модули двойного ранга (2R) отображаются в системе так, как если бы в этот канал памяти были вставлены два модуля памяти, что может вызвать проблемы совместимости, если на одном канале установлено несколько таких модулей.
Модули памяти с самой высокой плотностью (32 ГБ или более) предназначены для использования на сервере и, как правило, не будут работать на пользовательских системах, использующих процессоры Intel Core. Потребительские ЦП обычно ограничены двумя или четырьмя рангами на канал, в то время как серверные процессоры часто могут обрабатывать восемь или более рангов; это объясняет, почему многие процессоры Intel Xeon могут использовать чрезвычайно большой объем памяти (768 ГБ для деталей Xeon E5 V3).
Уровень памяти в основном представляет собой блок данных, который создается с использованием некоторых или всех микросхем памяти на модуле памяти (ваших флешек). Он должен иметь ширину данных 64 бита (модули с исправленными ошибками: 72 бита). Модуль памяти может содержать одну, две или четыре области 64-битных областей данных, в зависимости от того, как они сконструированы. Итак, «Ranks» = «Количество 64-битных областей данных».
R1x8 означает, что этот модуль является модулем одного ранга, а другой модуль R2x4 является модулем двойного ранга.
Некоторые наборы микросхем Intel ограничивают количество рангов, которые вы можете поместить в свой компьютер. Для вашей Dell Precision Workstation P670 она, вероятно, в общей сложности ограничена 8 рангами, поэтому с имеющимися у вас палками вы еще не достигли максимума (2×2 + 2×1 = 6 рангов).
Фишки одного ранга обычно дороже из-за способа их изготовления. Они также позволяют вам увеличить объем памяти из-за ограничения ранга вашего чипсета.
Итак, если ваша система поставляется с PC3L, то, вероятно, она этого требует, поэтому не пытайтесь заменить ее на PC3. Но если ваша система поставляется с PC3, то вы, вероятно, можете заменить ее на PC3 или PC3L.
Как правило, вы можете смешивать 1Rx8 и 2Rx8, хотя смешивание разных видов ОЗУ иногда предотвращает чередование (т. Е. Это может быть немного медленнее).
Тем не менее, я рекомендую запустить тест памяти после обновления ОЗУ. Диагностики памяти Windows, вероятно, достаточно, хотя MemTest86 или MemTest86 + лучше.
Давайте проясним все о DDR RAM. Пожалуйста, помогите мне закончить всю информацию о оперативной памяти DDR3. И, пожалуйста, поправьте меня, если я ошибаюсь.
Существуют стандарты оперативной памяти DDR, DDR2, DDR3 и DDR4. Они не совместимы друг с другом и не могут быть смешаны.
Число в конце маркировки показывает скорость оперативной памяти DDR в МБ / с (мегабайт в секунду).
Частоту работы DDR RAM можно посчитать по ее скорости. Оперативная память DDR осуществляет две передачи данных за один такт / такт (на переднем фронте и на переднем фронте тактового сигнала). Каждая передача имеет ширину 64 бита. Так, например, 8500 Мбит / с / 8 «байтов на передачу» / 2 «передачи в такт» =
Например, «PC3 2Rx8 8500 без ECC» означает: 1. Память DDR3 1,5 В (может быть ОЗУ с двойным напряжением). 2. 2 ряда памяти на модуль / флешку. 3. 8 чипов физической памяти на ранг, всего 16 чипов, припаянных на модуль ОЗУ. 4. Скорость оперативной памяти DDR3 составляет 8500 МБ / с. Оперативная память работает на частоте шины 531 МГц. 5. Модуль ОЗУ DDR3 без функции исправления ошибок. 6. Система видит этот модуль DDR3 так, как будто это два модуля в одном канале памяти.
Если у вас есть что добавить, пожалуйста, добавьте это как комментарий. Это будет организованная информация о DDR RAM в одном месте.
Что означает 1Rx8 против 2Rx8 для ОЗУ и совместимы ли они?
Что означают 1Rx8 и 2Rx8? Могу ли я собрать их вместе?
4 ответа
Эти модули несовместимы друг с другом.
Ноутбуки не могут завершить самотестирование при включении (POST) при использовании с модулем памяти DDR3
Ноутбукам, использующим процессоры Intel (Haswell) 4-го поколения, требуется новый тип памяти, известный как DDR3-Low Voltage или DDR3L.
Модернизация: требуется память 1.35V!
Обратите внимание, что мы вставляем память 1.35V в наши G750. Новые процессоры Haswell требуют этого, и использование 1,5-вольтовой памяти может вызвать проблемы в следующих строках:
1R и 2R относятся к числу рангов памяти на модуле. Модули с двумя рангами (2R) появляются в системе, как если бы в этот канал памяти были вставлены два модуля памяти, что может вызвать проблемы с совместимостью, если у вас есть несколько таких модулей на одном канале.
Модули памяти с максимальной плотностью (32 ГБ и более) предназначены для использования на сервере и, как правило, не будут работать на потребительских системах, использующих процессоры Intel Core. Потребительские процессоры обычно ограничены двумя или четырьмя рядами на канал, тогда как серверные процессоры часто могут обрабатывать восемь или более рангов; это объясняет, почему многие процессоры Intel Xeon могут принимать чрезвычайно большой объем памяти (768 ГБ для Xeon E5 V3).
Ранг памяти в основном представляет собой блок данных, который создается с использованием некоторых или всех микросхем памяти на модуле памяти (ваши палочки). Он должен иметь ширину 64 бит (модули с исправлением ошибок: 72 бит). Модуль памяти может содержать одну, две или четыре области 64-битных областей данных в зависимости от того, как они создаются. Итак, «Ранги» = «Число областей с 64-битной шириной».
R1x8 означает, что этот модуль является одноранговым модулем, другой модуль, R2x4 является модулем с двумя рангами.
Некоторые чипсеты Intel ограничивают количество рангов, которые вы можете поместить на свой компьютер. Для вашей рабочей станции Dell Precision Workstation P670 она, вероятно, ограничена 8 разрядами, поэтому с вашими палками вы еще не достигли максимума (2×2 + 2×1 = 6 рангов).
Одиночные чипы обычно дороже из-за того, как они строятся. Они также позволяют вам добавить больше памяти из-за ограничения ранга вашего набора микросхем.
Итак, если ваша система поставляется с PC3L, то она, вероятно, требует этого, поэтому не пытайтесь заменить ее на PC3. Но если ваша система поставляется с PC3, то вы, возможно, замените ее на PC3 или PC3L.
Как правило, вы можете смешивать 1Rx8 и 2Rx8, хотя смешивание различных видов оперативной памяти иногда предотвращает чередование (то есть, возможно, оно немного медленнее).
Однако я рекомендую запустить тест памяти после обновления RAM. Диагностика памяти Windows, вероятно, достаточна, хотя MemTest86 или MemTest86 + лучше.
В целом наилучшая производительность достигается за счет наличия идентичных чипов. То же самое, все равно.