3d96l s что это такое

13.12.202302.07.2023 admin 0 Comments

3d96l s что это такое

В виду вступления закона о роуминге в силу, часть тарифных планов и услуг была «актуализирована». Естественно для кого-то не в лучшую сторону. А вы чего ожидали?

P.S.: к слову, оригинальная новость, которую фактически продублировало данное СМС, на сайте Билайна есть, от 17 мая этого года.

Оператор вложил более 5 миллиардов рублей в создание сети 5G-ready в Москве

Дать супергороду суперсеть!
Под таким лозунгом «Билайн» производит беспрецедентную модернизацию своих базовых станций в Москве.
О том, зачем оператор вкладывает миллиарды рублей в этот крупномасштабный проект, рассказал генеральный директор ПАО «ВымпелКом» Василь Лацанич.

Одной из главных движущих сил этой революции являются абоненты «исповедующие» безлимитные тарифы.
В Москве рост таких тарифов происходит по экспоненте. Раньше «Анлим» был специфической услугой, ей пользовались избранные и объем составлял очень небольшой процент от общих продаж.
Сегодня безлимитные тарифы занимают более 60 процентов продаж оператора и эта цифра постоянно растет.
«Билайн» не без оснований называет себя лучшим оператором безлимитов.
Чтобы собрать вместе всех пользователей тарифа «Анлим» в Москве понадобиться заполнить 6 стадионов размером с «Лужники».
Но при этом понятно, что никто из этой армии абонентов морально не готов потреблять много медленного интернета.
А ведь на безлимитных тарифах потребление в 5 раз (!) выше, чем на других.

По оценкам экспертов при таком бешеном росте потребления необходимый объем трафика не может быть предоставлен на технологии 4G уже через несколько лет.
Создание сети 5G это необходимое условие для того, чтобы интернет был быстрым, легко доступным, качественным и непрерывающимся.
Масштабная модернизация началась в 2018 году, сейчас новая сеть построена более, чем на 80 процентов.
Оставшиеся старые базовые станции будут заменены на новые к концу лета этого года.

Кроме того, новая сеть станет базовым компонентом Интернета вещей.
Хорошим примером такого устройства является беспилотный электромобиль Tesla.
Чтобы постоянно собирать данные о своем движении, пользоваться навигацией и медийным ресурсом, Tesla нужно несколько гигабайт в день.
Столько трафика не потребляет ни один человек.
А ведь эпоха Интернета вещей не за горами.

«Билайн» обещает завершить вторую фазу технологической модернизации сети, в результате которой она будет практически готова к переходу на стандарт пятого поколения, уже в 2020 году.

— в 10 раз должна вырасти ёмкость мобильных сетей связи, что люди могли смотреть столько видео, сколько они хотят.

— в 4 раза вырос объем потребления мобильного интернета на абонента.

— более 85% сети «Билайн» в Москве уже 5G-ready.
Это позволяет увеличить скорость мобильного интернета в 3 раза.

Источник

Интернет навсегда #2

Зашёл тут на днях в собственный аутентичный офис Билайна купить SIMочку с тарифом «Интернет навсегда». Тем более, что при подключении до конца лета они к тарифу прилагают бесплатную опцию «Почта навсегда». Напомню вкратце, шо цэ таке.

Дык вот. Билайн не был бы Билайном, если бы удалость купить новую симку без приключений.

Подхожу к продавцу, прошу SIMку. Тот начинает оформлять. Просит деньги. Я говорю, что хочу расплатиться банковской картой. Окей, говорит, суй её в терминал. Я засунул. Терминал завис, касса зависла.

После этого сотрудник офиса очень долго не мог привязать новую SIMку к свежесозданному контракту. Система ему выдавала отлуп «эта SIMка уже продана». Касса всё это время «висела».

Но он не сдавался. Перепробовал пять или шесть SIMок из разных партий, пачек и коробок. В конце концов с какой-то попытки ему улыбнулась удача. SIMка привязалась, касса «отвисла». Банковский терминал — нет. Тот ушёл в глубокий даун. Я говорю «ну хрен с вами, давай заплачу наличными». Заплатил, получил чек. Странно, что кроме фискального чека мне больше никаких документов не дали. Никаких бумаг я не подписывал, хотя мои паспортные данные в базу вроде как внесли.

На чеке отображён только номер ICC SIM-карты, но не номер телефона, хотя пустое поле там для этого предусмотрено. Тариф называется «SMN96L VIP Инт.нав.ХВ4ТВ МФ400» (переписал с чека). «ХВ» — это, наверное, «Христос Воскрес» (шучу, это «ХайВей»). Ладно, фиг с ним.

Дома с пердежом и рвотой еле-еле активировал SIMку. Хоть устройство и показывало «LTE», интернет еле ворочался. Причем, изначально доступа в Сеть нет. Можно зайти только на сайт «beeline.ru», после чего SIMка активируется. Это тоже догадаться надо. Потом решил зайти на «google.ru» и заценил приснопамятную капчу. Гыгыгы.

Поставил приложение с личным кабинетом. Оно меня обрадовало, что поскольку договор на голосовые услуги не заключен, то не будет мне ни голоса, ни SMSок. Только трафик. Ну и ладно, интернет работает, и на том спасибо.

Но тут возникает следующий вопрос: как получить пароль от личного кабинета? SMSку получить не судьба (см. выше). Зайти в сам кабинет с устройства можно, но поменять там пароль нельзя. Единственный способ — установить там контактный адрес электронной почты, подтвердить его, после чего воспользоваться сервисом «забыл пароль». Usability на грани фантастики, это ппц.

Там же, в личном кабинете, есть упоминание о «контактном номере телефона». Типа, для взаимодействия со службой техподдержки, напоминания пароля и прочего. Там не сказано что нужно указывать обязательно Билайновский номер. Но сколько я ни пытался привязать к кабинету свою основную Мегафоновскую мобилу, подтверждающая SMSка так ни разу и не пришла.

Следующий прикол. По сценарию мне прямо в момент покупки SIMки на неё должна была автоматически подключиться опция «Хайвей» за 400 рублей (в прошлом году было 350). Дык она не подключилась! 400 рублей просто «легли» мне на лицевой счёт как авансовый платёж. Не сказать бы, чтоб я сильно расстроился. Ибо этот «Хайвей» мне нафиг не впёрся. Другое дело, что эти деньги я не могу ни забрать взад, ни перевести на счёт другого абонента, ни купить на них контент; можно только потратить на услуги Билайна. Ну хрен с ними, значит, пущай себе лежат до лучших времён.

Но вот что меня реально напрягло. Нигде ни в личном кабинете, ни в приложении, я не могу проверить, а действительно ли на моё имя оформлена эта SIMка. Потому что это нигде ни указывается. Я опасаюсь только того, что в их системе мог случится какой-нибудь сбой, и через некоторое время оператор может прибить это подключение как анонимное. А доказать я ничего не смогу: у меня на руках никакого договора-то и нет. Только чек.

Короче говоря, этот Билайн такой Билайн. С каждым годом всё веселее и веселее. Впрочем, это всё фигня. Главное, когда денег мало, — в кибитку не ходить!

Источник

Эволюция или стагнация? Сравнение и тесты SSD от Samsung: 840 Pro, 850 EVO, 850 Pro, 860 EVO, 860 Pro, 870 EVO, 870 QVO, 970 EVO Plus

Содержание

SSD компании Samsung — разрекламированный продукт. Даже без учета рекламной воды в сухом остатке будет то, что эти накопители — лидеры рынка не только по объему продаж, но и по качеству. SSD Samsung действительно обладают стабильно высоким уровнем быстродействия на фоне конкурентов. Не знаете, какой SSD выбрать? Просто купите SSD от Samsung. В этом обзоре рассмотрим эволюцию накопителей от 840 PRO до 970 EVO.

Отрасль потребительских SSD-накопителей скорее деградирует по совокупности характеристик. Например, вместо MLC NAND стали применять TLC NAND, а на рынке все больше места занимает QLC NAND. Быстродействие массивов памяти начало падать, а производители пытаются компенсировать потерю роста ухищрениями вроде SLC-режима.

Гонка за снижение себестоимости привела к массовому отказу от DRAM-буферизации и рынок заполонили безбуферные контроллеры. Попутно их начали урезать по количеству каналов, ядер и т.д. Это стало сильно заметно на фоне распространения PCIe 3.0 x4 вместо SATA3. При пропускной способности интерфейса в

3500 Мб/с, производители предлагали потребителям PCIe 3.0, SSD с 1200-1500 Мб/с на чтении и 800-1000 Мб/с на записи, с учетом SLC-режима.

При этом есть модели, основанные на полноценных контроллерах и быстрой памяти, но их становится все меньше. Вышеупомянутые решения все равно быстрее HDD, которые, в свою очередь, тоже теряют в скоростях. Действительно, не всегда нужен флагманский продукт, но медленные SSD преподносят под соусом «лучше вам не найти», буквально вытесняя полноценные решения.

SSD накопители от Samsung отвечает требованию цена-качество. Если не учитывать рекламную шумиху, мы все равно получаем качественный продукт, который соответствует реальным характеристикам. Стабильный и высокий уровень быстродействия на фоне предложений конкурентов. Их можно покупать вслепую и получать стабильный, предсказуемый результат. Маркетинг компании в этом плане честный, без явных приукрас.

Samsung 650: честно указаны 5 000 IOPS на чтении и 8 900 IOPS на запись

Модельный ряд простой, без нагромождения приставок и номеров. Старшая и младшая модели, и особняком «особенная/пробная» модель. На данный момент ситуация следующая: 860 Pro, 870 EVO и 870 QVO в сегменте SATA, где 870 QVO — обновление 860 QVO — первого потребительского SSD на QLC NAND, и 980 Pro, 970 EVO Plus, 980 в сегменте PCle, где 980 — первое «пробное» решение Samsung на безбуферном контроллере для розницы.

Но Samsung — не идеальная компания и тоже были проколы. Ошибка в микрокоде накопителей семейства Samsung 840 EVO, приводила к слишком быстрой потере заряда ячейками памяти. Проблему исправили обновлениями микрокода, но часть накопителей так и осталась с этим недугом. Другая беда менее известна в широких кругах в силу своей специфичности: Samsung 840/850/MZ7 теряли данные, некорректно обрабатывая асинхронную команду TRIM (Queued TRIM), которая реализована в linux-системах. Справедливости ради, обожглась тогда не только Samsung — в «чёрный список» попали не только ее SSD.

Ещё одной нередкой проблемой является то, что не всегда адекватно ведут себя накопители Samsung 860-й серии со старыми системами AMD Socket AM2(+)/AM3(+)/FM2(+) — могут наблюдаться различные сбои и ошибки, вплоть до полной неработоспособности.

В данном тестировании примут участие:

Samsung 860 EVO взят в исполнении M.2, а не 2.5″. Последнего просто не было в наличии. Форм-фактор не должен заметно повлиять на результаты в тестах — аппаратная платформа одинаковая.

Samsung 870 QVO на данный момент выпускается в объёмах только от 1 Тб и, учитывая использование QLC NAND с невысоким уровнем быстродействия, менее ёмкие варианты вряд ли стоит ожидать (как не появились они и для Samsung 860 QVO). Можно считать это как небольшой допинг — удвоение параллелизма в массиве флеш-памяти в сравнении с возможной конфигурацией на 500 Гб, соответственно, более высокие результаты в тестах.

Samsung 970 EVO Plus. Хотя этот накопитель тоже среднего класса (EVO по классификации Samsung), достаточно отметить хотя бы его интерфейс PCI-Express 3.0 x4. Попал он в список тестируемых больше из любопытства.

Упаковка и комплектация

Когда-то Samsung имели различные варианты комплектации. От простых — в которых был сам накопитель, утолщающая рамка для установки в посадочные места, рассчитанные на 2.5″ 9.5 мм, буклет и компакт-диск. До достаточно богатых, например, с адаптером SATA3-USB. В этом Samsung шел в ногу со временем, к примеру, Intel и Kingston предлагали вплоть до полноценных корпусов, дающих возможность использовать накопители как внешние портативные SSD.

И точно так же, как на рынке пошла тенденция на упрощение упаковки и комплектации, Samsung стала ограничиваться картонной коробкой (форма которой может немного изменяться) с пластиковым ложементом и буклетом.

Стандарт комплектации потребительских SSD Samsung на сегодня.

Впрочем — это еще богатая упаковка. Некоторые достаточно именитые производители сейчас ограничиваются пластиковым блистером на картонной подложке.

Аппаратные платформы

В тестировании принимают участие накопители двух типов: Samsung 840 Pro на планарной флеш-памяти и все остальные — на флеш-памяти с вертикальной компоновкой ячеек (3D V-NAND).

Samsung 850 EVO пережил три последовательных модернизации. Первая версия в объеме до 500 Гб включительно, базировалась на контроллере Samsung MJX в связке с LPDDR2 и 32-слойной 128 Гбит TLC. Вторая версия — LPDDR3 и 48-слойная 256 Гбит TLC. Третья — 64-слойная 256 Гбит TLC. У более емких следующая градация: Samsung MEX — 850 EVO 1 Тб первой версии; Samsung MJX — 850 EVO 1 Тб второй и третьей версии; Samsung MHX — 850 EVO 2 Тб первой версии, 2 и 4 Тб второй и третий версий. Наш экземпляр принадлежит ко второй модернизации.

Это информация, которую знаю я и не исключаю, что есть еще какие-то данные. (Напиши в комментариях, если есть, что добавить) Samsung 850 Pro тоже наверняка потерпел изменения. Между его дебютом и выходом наследника Samsung 860 Pro прошло три года. Сохранение модели «как на старте продаж» — редкость, для такого длительного срока. Но производительность массивов памяти MLC от Samsung настолько избыточна, что рядовой пользователь может не заметить разницы.

На текущий момент наблюдается очередной этап удешевления накопителей. Линейка Pro с выходом Samsung 980 Pro перешла на TLC NAND, в сегмент SATA пришла уже вторая серия накопителей QVO на QLC NAND, а в PCI-Express пришёл «безбуферный» контроллер Samsung Pablo.

QLC NAND в накопителях Samsung применяется недавно, с серии 860 QVO. А эксперименты с «безбуферным» контроллером начали проводить еще пять лет назад. Сейчас на рынке, DRAMless-платформы оккупировали нижний и средний сегменты.

Samsung 840 Pro	Samsung 850 EVO	Samsung 850 Pro	Samsung 860 EVO	Samsung 860 Pro	Samsung 870 EVO	Samsung 870 QVO	Samsung 970 EVO Plus
Интерфейс	SATA	SATA	SATA	SATA	SATA	SATA	SATA	PCIe 3.0. x4
Объём, Гб	512	500	512	500	512	500	1000	500
Доступный объём, Гб	476,9	465,8	476,9	465,8	476,9	465,8	931,5	465,8
Контроллер	Samsung MDX	Samsung MJX	Samsung MEX	Samsung MJX	Samsung MJX	Samsung MKX	Samsung MKX	Samsung Phoenix
Заявленная память	NAND 2-bit MLC (MLC)	V-NAND 3-bit MLC (TLC)	V-NAND 2-bit MLC (MLC)	V-NAND 3-bit MLC (TLC)	V-NAND 2-bit MLC (MLC)	V-NAND 3-bit MLC (TLC)	V-NAND 4-bit MLC (QLC)	V-NAND 3-bit MLC (TLC)
Память по факту в тестируемом образце	MLC NAND 21 nm 64 Gbit Samsung	TLC 3D 48L V-NAND 256 Gbit Samsung	MLC 3D 32L V-NAND 128 Gbit Samsung	TLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung	MLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung	TLC 3D 128L V-NAND 512 Gbit Samsung	QLC 3D 92L V-NAND 1 Tbit Samsung	TLC 3D 96L V-NAND 256 Gbit Samsung
Версия микрокода по факту в образце	DXM05B0Q	EMT02B6Q	EXM04B6Q	RVT24B6Q	RVM02B6Q	SVT01B6Q	SVQ01B6Q	2B2QEXM7
Скорость линейного чтения, до, Мб/с	540	540	550	550	560	560	560	3 500
Скорость линейной записи, до, Мб/с	520	520	520	520	530	530	530/80	3200
Производительность на чтении, до, IOPS	100 000	98 000	100 000	98 000	100 000	98 000	98 000 / 45 000	480 000
Производительность на записи, до, IOPS	90 000	90 000	90 000	90 000	90 000	88 000	88 000 / 22 000	550 000
Номинальный ресурс, записанных данных, Тбайт (TBW)	не задан	150	300	300	600	300	360	300
Гарантия	5 лет	5 лет, но не более TBW	10 лет, но не более TBW	5 лет, но не более TBW	5 лет, но не более TBW	5 лет, но не более TBW	3 года, но не более TBW	5 лет, но не более TBW

Samsung 870 QVO построен на полноценном контроллере с внешним DRAM-буфером, но даже применение одной QLC NAND позволило Samsung резко снизить планку стоимости: 870 QVO 4 Тб стоит порядка 33 тысяч рублей против 870 EVO 4 Тб за 42 тысячи рублей. Но для «похорон» традиционных HDD того же объема этого недостаточно: ценники на них стартуют с отметки 7-8 тысяч рублей.

Тестовый стенд

В качестве программного обеспечения используется комплект из Iometer, dd и fio, задействуемые в рамках самописных сценариев, а также AIDA64. «Зоопарк» из разных тестов обусловлен историей рождения всего этого (предполагается в дальнейшем несколько сократить разнообразие). Их отчеты разбираются в таблицы Excel с помощью самописных макросов и строятся графики и таблицы. Тесты на копирование, архивацию и микширование — это реальная работа с реальными файлами (фото, видео, документы MS Word), а не искусственные «трассы»-имитации из какого-нибудь пакета типа PCMark8 или PCMark10. Но и традиционные бенчмарки не проигнорированы: AIDA64, PCMark8 и Crystal Disk Mark 8.0.1.

Тестирование

Немного о SLC-режиме. Вступительная теоретическая часть перед тестированием.

Архитектурно SSD — массив из некоторого числа кристаллов флеш-памяти. Скорость массива — общность скоростей кристаллов, распределённых по одному или нескольким каналам контроллера (на каждом канале либо поодиночке, либо по алгоритму чередования).

Прогресс идет по пути увеличения плотности хранения данных — растет емкость кристаллов: лет семь назад в ходу были кристаллы NAND на 32-64 Гбит, то сегодня и 1 Тбит уже обычны. В итоге для сборки одного и того же объема требуется все меньше и меньше кристаллов. А ни скорость чтения, ни записи у NAND не растут пропорционально. Так появился алгоритм «ускоренной» записи — SLC-режим. И ныне потребительские SSD без него — редкость.

Позднее в микропрограммы многих накопителей стала закладываться отложенная консолидация данных, когда перезапись данных в «родном» режиме происходит только по факту поступления новых данных извне — своеобразная очередь с вытеснением. Если на накопитель поступает запрос на чтение блока данных, скорость отдачи будет зависеть от того, в каком состоянии данный блок хранится на текущий момент — «не уплотнённое» читается быстрее. Подобный приём может дать некоторый прирост быстродействия в программах с активным кэшированием, где временные файлы активно пишутся/удаляются, а их долговременное хранение не требуется.

В итоге в тестах производительности возникает почти полная аналогия с «гибридниками» (SSHD): многие популярные бенчмарки оперируют ограниченным объемом данных на небольшом временном отрезке, т.е. все их операции оказываются в рамках SLC-буфера, частично или полностью. Иначе говоря, результаты, полученные в бенчмарках типа Crystal Disk Mark, могут быть далеки от реальности.

Влияние SLC-кэша на мелкоблочное чтение

Создаем тестовый файл, заполненный случайным образом блоками по 4 Кб, который полностью помещается в SLC-буфер. Первый замер скорости чтения. После делаем паузу, чтобы микропрограмма произвела консолидацию записанных данных, если она это делает. Второй замер скорости чтения. Затем пишем на накопитель объем данных, достаточный для вытеснения текстового файла из SLC-буфера. Снова пауза. Третий замер.

Samsung 840 Pro 512 Гб
(MDX, MLC NAND 21 nm 64 Gbit Samsung, DXM05B0Q, 04.2021)

Samsung 850 EVO 500 Гб
(MJX, TLC 3D 48L V-NAND 256 Gbit Samsung, EMT02B6Q, 04.2021)

Samsung 850 Pro 512 Гб
(MEX, MLC 3D 32L V-NAND 128 Gbit Samsung, EXM04B6Q, 04.2021)

Samsung 860 EVO 500 Гб
(MJX, TLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, RVT24B6Q, 04.2021)

Samsung 860 Pro 512 Гб
(MJX, MLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, RVM02B6Q, 04.2021)

Samsung 870 EVO 500 Гб
(MKX, TLC 3D 128L V-NAND 512 Gbit Samsung, SVT01B6Q, 04.2021)

Samsung 870 QVO 1 Тб
(MKX, QLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, SVQ01B6Q, 04.2021)

Samsung 970 EVO Plus 500 Гб
(Phoenix, TLC 3D 96L V-NAND 256 Gbit Samsung, 2B2QEXM7, 04.2021)

Если у 840 Pro, 850 Pro и 860 Pro нет реализации SLC-режима, то в конфигурациях на TLC и QLC режим SLC-кэширования есть, признаки наличия и отсутствия SLC-кэширования мы видим в таблице. Так же есть вариативность, если микрокод Samsung 850 EVO производил консолидацию сразу, то в 860 EVO и 870 EVO данные частично сохраняются в массиве некоторое время, что дает прирост. 870 QVO этого ухищрения лишается и мы видим деградацию в скорости сразу, без принудительного вытеснения.

Устойчивость скоростных характеристик: линейная запись

Тест позволит выявить сразу 3 возможных особенности накопителя:

SLC-режим у потребительских накопителей Samsung появился с приставки EVO, т.е. начиная с 840 EVO. Будучи изначально простым (один фиксированный объём), начиная с 860 EVO алгоритм SLC-кэширования усложнился и теперь состоить из двух частей — фиксированной (3-6 Гбайт за счёт резервной области) и динамической (до 9 Гб на каждые 250 Гб объема). Например, модели в 1 Тб, могут принять в SLC-кэшировании до 42 Гб данных (6 Гб статического кэша + 36 Гб динамического).

Посмотрим, что мы имеем в итоге:

Для наглядности представим все результаты в виде таблицы:

Samsung 840 Pro 512 Гб
(MDX, MLC NAND 21 nm 64 Gbit Samsung, DXM05B0Q, 04.2021)

Samsung 850 EVO 500 Гб
(MJX, TLC 3D 48L V-NAND 256 Gbit Samsung, EMT02B6Q, 04.2021)

Samsung 850 Pro 512 Гб
(MEX, MLC 3D 32L V-NAND 128 Gbit Samsung, EXM04B6Q, 04.2021)

Samsung 860 EVO 500 Гб
(MJX, TLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, RVT24B6Q, 04.2021)

Samsung 860 Pro 512 Гб
(MJX, MLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, RVM02B6Q, 04.2021)

Samsung 870 EVO 500 Гб
(MKX, TLC 3D 128L V-NAND 512 Gbit Samsung, SVT01B6Q, 04.2021)

Samsung 870 QVO 1 Тб
(MKX, QLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, SVQ01B6Q, 04.2021)

80 Мб/с

У Samsung 850 EVO 500 есть SLC-режим, но количество кристаллов NAND в его массиве таково, что наличие SLC-режима угадывается лишь по более ровному участку на графике записи. У 860 EVO уже все видно — 360 Мб/с вне SLC-режима.

У Samsung 870 QVO всего 80 Мб/с. Это лучше конкурентов с QLC-памятью (Phison S11 и Silicon Motion SM2259XT + QLC 3D Micron дают

30-50 Мб/с), но на рынке подобных решений пока не много, основная масса бюджетных накопителей (без учёта «китайцев» с Aliexpress), с которыми 870 QVO конкурирует, основана всё-таки пока на TLC NAND, где скорость записи повыше.

Samsung 840 Pro показал график записи схожий с графиком 850 EVO. С чем это связано — вопрос интересный. Точно не SLC-режим, а отдаваемая накопителем в SMART температура не превышала +45°C.

Samsung 850 Pro и 860 Pro выглядят одинаково хорошо. Видно, что возможности интерфейса SATA они используют на максимум. При этом второй чуть-чуть быстрее: 20 минут 40 секунд на полную перезапись против 22 минуты 11 секунд.

Устойчивость скоростных характеристик: мелкоблочная запись, работа без TRIM

Непрерывная мелкоблочная запись с большой глубиной очереди запросов при отсутствии TRIM (накопитель ведь не размечен) — тип нагрузки, не свойственный домашним ПК, это скорее серверная нагрузка, где важны показатели постоянства скоростей. Но показательный — слабое место «безбуферных» контроллеров в том, что при постоянных запросах ко всему массиву памяти, микрокод контроллера накопителя, вынужден постоянно останавливать работу для выгрузки ненужных фрагментов таблицы ретранслятора и подгрузки новых. Это выражается в сильном разбросе показателей моментальной производительности. Чем больше массив флеш-памяти, тем больше этот разброс. Слишком «тормозные» SSD могут вызывать такие задержки, которые может заметить даже рядовой пользователь на домашнем ПК.

Полное «замусоривание» массива ячеек позволяет увидеть, как будет вести себя накопитель в условия отсутствия команды TRIM. Полезно для использования USB-боксов, ведь даже в быстрых решениях USB 3.0 могут быть девайсы с ошибками в программной части, из-за которых до накопителя не будет доходить команда TRIM.

Общая таблица показателей:

IOPS, среднее

Накопитель	SLC-режим	Скорость записи вне SLC-режима
Samsung 970 EVO Plus 500 Гб (Phoenix, TLC 3D 96L V-NAND 256 Gbit Samsung, 2B2QEXM7, 04.2021)	разброс	без TRIM принимается на полной скорости, Гб	полное восстановление после TRIM
Samsung 840 Pro 512 Гб (MDX, MLC NAND 21 nm 64 Gbit Samsung, DXM05B0Q, 04.2021)	88 500	нет	0	да
Samsung 850 EVO 500 Гб (MJX, TLC 3D 48L V-NAND 256 Gbit Samsung, EMT02B6Q, 04.2021)	88 500	нет	6	да
Samsung 850 Pro 512 Гб (MEX, MLC 3D 32L V-NAND 128 Gbit Samsung, EXM04B6Q, 04.2021)	88 500	нет	0	да
Samsung 860 EVO 500 Гб (MJX, TLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, RVT24B6Q, 04.2021)	88 500	незначителен	4	да
Samsung 860 Pro 512 Гб (MJX, MLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, RVM02B6Q, 04.2021)	88 500	нет	0	да
Samsung 870 EVO 500 Гб (MKX, TLC 3D 128L V-NAND 512 Gbit Samsung, SVT01B6Q, 04.2021)	88 500	нет	4	да
Samsung 870 QVO 1 Тб (MKX, QLC 3D 64L V-NAND 256 Gbit Samsung, SVQ01B6Q, 04.2021)	88 000 в SLC-режиме и 20 000 вне него	значителен	6	да
Samsung 970 EVO Plus 500 Гб (Phoenix, TLC 3D 96L V-NAND 256 Gbit Samsung, 2B2QEXM7, 04.2021)	550 000 в SLC-режиме и 220 000 вне него	незначителен	4	да

Помните, я выше говорил про нюансы реализации SLC-кэширования у накопителей Samsung? Поведение накопителя в условиях отсутствия команды TRIM чётко привязано к этим нюансам: способность принимать данные на полной скорости равняется размеру статической части SLC-кэша. В Pro-сериях SLC-кэширования нет. Соответственно, полной скорости без TRIM тоже нет.

Кстати, могу отметить, что в этом виде нагрузки быстродействие Samsung 860 EVO поднялось в сравнении с тем, что демонтрировали первые тесты в момент дебюта данных SSD: изначально на графике записи модификации на 500 Гб был отлично виден SLC режим, теперь же даже 250 Гб (я его тестировал месяц назад) внутри и вне SLC-режима мало чем различается по уровню производительности (88,5 тыс и 85,5 тыс IOPS соответственно). Похоже, Samsung внесла какие-то улучшения.

Задержки при отработке TRIM

Накопители на флеш-памяти NAND отличаются от решений на магнитных пластинах (HDD) тем, что в отличии от последних, для сохранения быстродействия, им необходимо производить стирание данных, которые стали ненужными. В отличие от HDD, где запись можно производить «поверх», без предварительной очистки блоков.

Команда TRIM, которую ОС передает вместе с удалением данных, сигнализирует микропрограмме накопителя о том, что данные имеющиеся по определенным LBA-адресам больше неактуальны. Ну а далее всё зависит от настроек в микрокоде: отложить очистку на момент простоя, если это возможно, или выполнить сразу, даже если в этом нет срочной необходимости.

На живом примере выглядит это так: удалили игру, например, RDR2 которая занимает 100+ Гб и тут же пытаемся записать файл на 1-2 Гб, мы увидим, как скорость записи падает до нуля. Если накопитель играет роль системного, то это может привести к тому, что система может вообще перестать откликаться на действия пользователя.

Тест выполняется следующим образом: на накопителе записываются восемь файлов по 8 Гб каждый, после паузы в несколько минут запускается чтение накопителя с параллельным ведением мониторинга (показания снимаются каждые 0.5 секунд) и производится удаление этих файлов. В конечном итоге получилось следующее: