4953 datasheet чем заменить
4953 datasheet чем заменить
Наименование прибора: ME4953
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
ME4953 Datasheet (PDF)
ME4953 Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)90m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(
0.2. me4953 me4953-g.pdf Size:1461K _matsuki_electric
ME4953/ME4953-G Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)60m@VGS=-10V The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)90m@VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec
9.1. me4954 me4954-g.pdf Size:1057K _matsuki_electric
ME4954/ME4954-G Dual N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4954 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)80m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)98m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely
4953 datasheet чем заменить
Наименование прибора: FDS4953
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 132 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.055 Ohm
FDS4953 Datasheet (PDF)
0.1. fds4953.pdf Size:96K _fairchild_semi
9.1. fds4935bz.pdf Size:158K _fairchild_semi
September 2006tmFDS4935BZDual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET General Description FeaturesThis P-Channel MOSFET has been designed 6.9 A, 30 V. RDS(ON) = 22 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery
9.2. fds4935a.pdf Size:113K _fairchild_semi
March 2002 FDS4935A Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 7 A, 30 V RDS(ON) = 23 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide ran
9.3. fds4935bz.pdf Size:154K _onsemi
September 2006tmFDS4935BZDual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET General Description FeaturesThis P-Channel MOSFET has been designed 6.9 A, 30 V. RDS(ON) = 22 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery
Портативное DVD Noname аналог 4953ss
ссылка скрыта от публикации Даташит
Информация Неисправность Прошивки Схемы Справочники Маркировка Корпуса Сокращения и аббревиатуры Частые вопросы Полезные ссылки
Справочная информация
Этот блок для тех, кто впервые попал на страницы нашего сайта. В форуме рассмотрены различные вопросы возникающие при ремонте бытовой и промышленной аппаратуры. Всю предоставленную информацию можно разбить на несколько пунктов:
Неисправности
О прошивках
Большинство современной аппаратуры представляет из себя подобие программно-аппаратного комплекса. То есть, основной процессор управляет другими устройствами по программе, которая может находиться как в самом чипе процессора, так и в отдельных микросхемах памяти.
На сайте существуют разделы с прошивками (дампами памяти) для микросхем, либо для обновления ПО через интерфейсы типа USB.
Схемы аппаратуры
Начинающие ремонтники часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, пользовательские и сервисные инструкции. Это могут быть как отдельные платы (блоки питания, основные платы, панели), так и полные Service Manual-ы. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:
Справочники
На сайте Вы можете скачать справочную литературу по электронным компонентам (справочники, таблицу аналогов, SMD-кодировку элементов, и тд.).
Современная элементная база стремится к миниатюрным размерам. Места на корпусе для нанесения маркировки не хватает. Поэтому, производители их маркируют СМД-кодами.
При создании запросов в определении точного названия (партномера) компонента, необходимо указывать не только его маркировку, но и тип корпуса. Наиболее распостранены:
Краткие сокращения
При подаче информации, на форуме принято использование сокращений и аббревиатур, например:
Частые вопросы
После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.
Ответ в тему Портативное DVD Noname аналог 4953ss как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.
Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.
Полезные ссылки
Здесь просто полезные ссылки для мастеров. Ссылки периодически обновляемые, в зависимости от востребованности тем.
4953 datasheet чем заменить
Наименование прибора: 4953
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
4953 Datasheet (PDF)
ME4953 Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)90m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(
0.2. 2n4953.pdf Size:60K _fairchild_semi
2N4953NPN General Purpose Amplifier This device designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500mA. Sourced from Process 10.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO C
0.3. fds4953.pdf Size:96K _fairchild_semi
0.4. si4953dy.pdf Size:51K _vishay
0.5. sq4953ey.pdf Size:250K _vishay
0.6. si4953ady.pdf Size:242K _vishay
0.8. 2sc4953.pdf Size:42K _panasonic
Power Transistors2SC4953Silicon NPN triple diffusion planar typeFor high breakdown voltage high-speed switchingUnit: mm4.6 0.2Features 9.9 0.32.9 0.2High-speed switchingHigh collector to base voltage VCBO 3.2 0.1Wide area of safe operation (ASO)Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFEDielectric breakdown voltage of the package: > 5kV1.4
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Preliminary Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)
0.10. ssg4953.pdf Size:534K _secos
0.11. ssg4953p.pdf Size:596K _secos
0.12. tsm4953dcs.pdf Size:225K _taiwansemi
0.15. cem4953.pdf Size:503K _cet
0.18. am4953p.pdf Size:321K _analog_power
0.19. afp4953ws.pdf Size:593K _alfa-mos
0.20. afp4953s.pdf Size:593K _alfa-mos
0.21. 4953b.pdf Size:1723K _shenzhen
0.22. 4953a.pdf Size:1799K _shenzhen
0.23. 4953.pdf Size:1588K _shenzhen
Spec. No. : C401Q8 Issued Date : 2007.06.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTDP4953BDYQ8 Description The MTDP4953BDYQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SO
0.25. mtdp4953q8.pdf Size:323K _cystek
0.26. apm4953.pdf Size:219K _anpec
0.27. apm4953k.pdf Size:264K _anpec
0.28. 4953.pdf Size:1486K _goford
0.29. stm4953.pdf Size:124K _samhop
0.30. ssf4953.pdf Size:716K _silikron
0.31. br4953d.pdf Size:921K _blue-rocket-elect
BR4953D Rev.H Oct.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P MOS Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable. / Applications
0.32. br4953.pdf Size:743K _blue-rocket-elect
BR4953(BRCS4953SC) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P MOS Dual P-Channel MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable. / Applications
0.33. brcs4953dmf.pdf Size:782K _blue-rocket-elect
BRCS4953DMF Rev.B Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 P MOS Dual P-Channel MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(ON),Rugged and reliable. / Applications
0.34. sm4953k.pdf Size:273K _sino
0.35. ftk4953.pdf Size:351K _first_silicon
0.36. kds4953.pdf Size:62K _kexin
0.37. si4953dy.pdf Size:1324K _kexin
SMD Type MOSFETDual P-Channel MOSFETSI4953DY (KI4953DY)SOP-8 Features VDS (V) =-30V A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 53m (VGS =-10V) RDS(ON) 95m (VGS =-4.5V)1 Source1 5 Drain26 Drain22 Gate17 Drain13 Source2S1 S28 Drain14 Gate2G1 G2D1 D1 D2 D2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drai
0.38. ki4953dy.pdf Size:50K _kexin
0.39. si4953ady.pdf Size:1498K _kexin
SMD Type MOSFETDual P-Channel MOSFETSI4953ADY (KI4953ADY)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) =-30V A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 53m (VGS =-10V) RDS(ON) 90m (VGS =-4.5V)1 S1 5 D2 6 D22 G17 D13 S28 D14 G2S1 S2G1 G2D1 D1 D2 D2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Sourc
0.40. am4953.pdf Size:535K _ait_semi
0.41. blm4953.pdf Size:299K _belling
0.42. blm4953a.pdf Size:273K _belling
0.43. chm4953jgp.pdf Size:83K _chenmko
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4953JGPSURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High
0.44. gsm4953s.pdf Size:438K _globaltech_semi
0.45. gsm4953ws.pdf Size:944K _globaltech_semi
0.46. mt4953.pdf Size:285K _matrix
MT4953Dual P-Channel High Density Trench MOSFET DESCRIPTION The MT4953 uses advanced technology to provide excellent Rds(on), low switching loss and reasonable price. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and
0.47. me4953 me4953-g.pdf Size:1461K _matsuki_electric
ME4953/ME4953-G Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)60m@VGS=-10V The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)90m@VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec
0.48. ps4953a.pdf Size:415K _prospower
PS4953A 30V Dual Channel PMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS4953A 30V Dual Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS4953A uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge and operation with gate voltages as
0.49. stp4953a.pdf Size:386K _semtron
0.50. ssm4953m.pdf Size:109K _silicon_standard
0.51. stp4953.pdf Size:485K _stansontech
0.52. ap4953.pdf Size:2366K _allpower
0.53. gm4953.pdf Size:399K _eternal
0.54. ec4953.pdf Size:419K _eternal
0.55. es4953.pdf Size:443K _eternal
0.56. 4953.pdf Size:677K _guangdong_hottech
0.57. jsm4953.pdf Size:416K _jsmsemi
0.58. lpm4953.pdf Size:1204K _lowpower
0.59. si4953.pdf Size:3156K _cn_szxunrui
0.60. pt4953.pdf Size:477K _cn_puolop
0.61. 2sc4953.pdf Size:183K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4953DESCRIPTIONSilicon NPN triple diffusion planar typeHigh Speed Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high breakdown voltage highspeed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
4953 datasheet чем заменить
Наименование прибора: 4953A
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
4953A Datasheet (PDF)
0.1. si4953ady.pdf Size:242K _vishay
0.3. 4953a.pdf Size:1799K _shenzhen
0.4. si4953ady.pdf Size:1498K _kexin
SMD Type MOSFETDual P-Channel MOSFETSI4953ADY (KI4953ADY)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) =-30V A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 53m (VGS =-10V) RDS(ON) 90m (VGS =-4.5V)1 S1 5 D2 6 D22 G17 D13 S28 D14 G2S1 S2G1 G2D1 D1 D2 D2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Sourc
0.5. blm4953a.pdf Size:273K _belling
0.6. ps4953a.pdf Size:415K _prospower
PS4953A 30V Dual Channel PMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS4953A 30V Dual Channel PMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS4953A uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge and operation with gate voltages as
0.7. stp4953a.pdf Size:386K _semtron